Новое поколение флеш-памяти

Новая память способна увеличить скорость записи в несколько раз, при этом гарантируется сохранность данных. Это новое поколение флеш-памяти, отличающейся от аналогов, которые существуют сегодня на рынке.

Компания Samsung приступила к массовому выпуску 3D флеш-памяти. Новая технология предоставляет возможности масштабирования, увеличения скорости записи и сохранности информации.

Основа памяти предполагает использование по вертикали кристаллов флеш-памяти, типичное формирование трехмерной структуры. В текущем виде один чип может быть оснащен 24 слоями. Разработчики компании поясняют, что используется проприетарная технология для связи слоев. Очевидно, что используется методика TSV, основанная на создании подложек миниатюрных отверстий, в которых находится медь. Каналы выступают в качестве проводников для создания многоярусных чипов. В результате достигается высокая плотность хранения данных.

Преимуществом изделий 3D является использование трехмерных технологий. Традиционная флеш-память базируется на изменении и фиксировании электрического заряда в кармане полупроводниковой структуры. Но процесс этот связан со сбором и сохранением необратимых изменений, в связи с этим число записей для ячейки очень ограничено. Причиной деградации является невозможность проконтролировать заряд в каждой ячейке. В изделиях CTF хранение электрического заряда производится в изолированной области ячейки. Новая технология достигается за счет снижения электромагнитного шума в кристалле в период передачи данных, в результате гарантируется сохранность данных и возможность применять иные технологические процессы.

Трехмерная память разрабатывается по технологии 10-нанометрового класса. Один чип весит 128 Гб, что позволяет выпускать продукты с вместимостью не менее 128Гб, но и не более 1 Тб. Считается, что по сравнению с существующими моделями, новые флеш-чипы позволяют увеличить скорость записи в несколько раз, в то же время дают возможность повысить надежность хранения. Новая память может использоваться в разных видах устройств, в том числе и на дисковых накопителях, встраиваемых модулях и, конечно, мобильных устройствах.

В настоящее время компания также работает над резистивной памятью, которая совместит преимущества NAND Flash и DRAM, позволяя хранить информацию даже без питания.