Будут созданы гибкие прозрачные компьютеры

Группа ученых из Саудовской Аравии разработала новую методику создания ультрасовременных, и одновременно недорогих CMOS-микросхем. Самое важное в этом достижении то, что благодаря данному процессу можно создавать очень гибкие полупрозрачные схемы на основе кремния. Сами ученые говорят о том, что их методика - это важнейший шаг на пути к изобретению нового вида компьютеров - высокопроизводительных, прозрачных и гибких.

За последние годы научный мир в области гибкой электроники добился больших успехов. На сегодняшний день существуют очень много новых приложений, например таких, как искусственная кожа или электронная бумага. Но почти все упомянутые устройства выполняются из органических материалов, а не из неорганического кремния. а все потому, что кремний – очень хрупкий и вместе с тем жесткий материал, а значит его трудно адаптировать для того, чтобы применять в гибких устройствах.

В свою очередь, органические компоненты также имеют свои проблемы. И наибольшей проблемой является то, что органические гибкие компоненты слишком медленные, особенно если их сравнивать с кремниевыми аналогами. К тому же, они не терпимы к высоким температурам. И если компоненты из кремния являются трехмерными, то большинство органических схем изготавливаются в виде сплошных пленок. Из этого следует, что количество транзисторов, умещающихся на микросхему, для органических материалов намного ниже, чем для микропроцессоров из кремния.

И хоть гибкая электроника из неорганических материалов существует сегодня, она использует дорогие материалы.

У ученых из Саудовской Аравии в процессе проведенного исследования получилось преодолеть такую фундаментальную проблему. Она разработали метод, который, сохраняя электронные свойства кремниевых схем, преобразует их в гибкие и прозрачные. Методика же эта относительно недорогая, ведь исследователи используют самые распространенные объемные пластины кремния.

Когда исследователи проектировали схемы, они создавали специальные полевые транзисторы метал-оксид-полупроводник p-типа, чтобы формировать в диоксиде кремния глубокие трещины. Потом структуры дополняли требующимися выводами с помощью напыления и травления, и в результате получалась соответствующая примесь. В конце производства, используя методику травления, в структуре формировались каналы, которые обеспечивали прозрачность и гибкость структуры после того, как ее отделяли от подложки.